技术编号:6873431
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及半导体器件,更具体涉及薄体(thin body)晶体管及其制造方法。近年来,半导体器件变得高度集成,以获得高性能、高速度、以及经济有效的结合。然而,由于半导体器件变得愈发高度集成,出现各种操作和结构的问题。例如,由于典型平面场效应晶体管的沟道长度变得越来越短,会出现例如击穿的短沟道效应,在结区和衬底之间的寄生电容,例如结电容将增加,并且漏电流会增加。为了解决上述问题,提出了使用绝缘体上硅(SOI)技术的薄体场效应晶体管。然而,这种器件易受浮置体效...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。