技术编号:6873585
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体发光装置,特别是涉及一种具有外接光摘出区的半导体发光装置,此光摘出区的截面积大于发光层的面积。背景技术 发光二极管(Light Emitting Diode;LED)为一种固态物理半导体元件,其至少包含pn结(pn junction),此pn结形成于p型与n型半导体层之间。当于pn结上施加一定程度的偏压时,p型半导体层中的空穴与n型半导体层中的电子将会结合而释放出光。此光产生的区域一般又称为发光区(activeregion)。发光区发光...
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