技术编号:6873588
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在包括氮化物基化合物半导体(InxAlyGa1-x-yN0≤x,0≤y,x+y<1)层的半导体器件中的改进,以及在其制造方法中的改进。背景技术 日本专利特许公开第06-196757号公开了制造氮化物基半导体器件的方法,其能够用于制造蓝色发光二极管、蓝色激光二极管等。根据日本专利特许公开第06-196757号,在510℃的衬底温度,GaN缓冲层在蓝宝石衬底上生长到约20nm厚度。在GaN缓冲层上,在1030℃的衬底温度GaN层生长到约2μm厚度。此...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。