技术编号：6874013
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，该薄膜晶体管的一个特点是栅电极的制造方法。更具体而言，本发明涉及诸如ID芯片、RFID、CPU(中央处理单元)、液晶显示装置以及有机EL显示装置的半导体装置及其制造方法。背景技术 近年来，已经积极研发了诸如ID芯片、RFID、CPU、液晶显示装置以及有机EL显示装置的半导体装置的电子设备。为了实现半导体装置的高度集成和高速操作，需要在制造工艺中微型化半导体装置。作为制造这种半导体装置的方法，可以给出通过刻蚀微型化栅电极的方法、或通过阳极氧化方法...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。