技术编号：6874015
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及非易失性半导体存储装置，特别涉及集成在与处理器等的逻辑电路相同的半导体衬底(芯片)上的非易失性半导体存储装置。更特定地，本发明涉及用于减小非易失性半导体存储装置的功耗以及占有面积并且高速地进行数据读出的结构。背景技术 1个非易失地存储信息的半导体存储装置具有闪速存储器。该闪速存储器由存储单元具有浮动栅极的1个层叠栅型场效应晶体管(存储单元晶体管)构成。通过向浮动栅极施加电场，从而利用F-N(Fowler-Nordheim)隧道效应现象或者沟道热电...
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