技术编号:6874018
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件,更具体地说涉及一种采用用于高Vt区域的栅极硅化方法来制造半导体器件的方法。背景技术 低功率电路广泛用在移动设备中。为了满足低功率要求,需要非常精确地控制亚阈值泄漏(依赖于Vt(电压阈值))、栅极泄漏和栅极引发的漏极泄漏。在低功率电路中,低Vt器件和高Vt器件具有不同的电路性能要求,并且高Vt和低Vt之间的Vt差可以大约为200mV。由于沟道长度和栅极氧化物尺寸变小,所以需要更高的晕圈或沟槽掺杂来保持用于低功率用途的高Vt(~0.5...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。