技术编号:6874146
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般所涉及到的是半导体器件的单元构造与制作过程。更细地说,这项发明阐明了用于制作有沟槽的半导体器件,例如有沟槽的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件的一种新型的和改进的单元结构与改进的制作步骤,以能消除在深沟槽内栅极氧化层上弱点。背景技术对于具备一般半导体制作工艺技术的人而言,在半导体衬底上开出的沟槽的底部形成厚的氧化物层仍然有技术上的困难。尤其是在具有窄临界尺寸(CD)的深沟槽的底部形成厚氧化层的加工过程中,必然会在沟槽底部的角落附...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。