技术编号:6874152
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,以及更具体地涉及一种用于制造熔丝形成在其中的区域的方法。背景技术 在制造半导体存储器件期间,如果在许多微型化的单元中发现至少一个缺陷,则由于半导体存储器件无法起到存储器的作用,将半导体存储器件视为缺陷产品。然而,虽然只在该存储器内的预定单元中发现到缺陷,但如果将整个存储器件当作缺陷产品丢弃,则对产品产量而言是非常低效的。从而,缺陷单元通过使用先前安装在存储器件内的冗余单元来取代,由此可使用整个存储器。这样有可能提高产品产量。关于使用冗余单元...
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