技术编号:6874178
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请是于1995年10月20日提交、申请号为03106049.8发明名称为“半导体器件及其制造方法”的分案申请。本发明涉及结晶半导体,更具体地说是涉及以薄膜硅半导体和使用该种硅半导体制造的半导体器件。本发明还涉及制造它们的方法。用作薄膜器件的薄膜晶体管大致划分为两类平面型和台阶型。正如公知的那样,台阶TFT具有如图5(A)-5(E)和6(A)-6(C)的形状。这种无沿(edgeless)型TFT具有和栅电极的形状相同的岛形的有源层。结果,不存在任何超越栅...
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