技术编号:6874221
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种形成自对准金属硅化物的方法,特别是有关一种在部分区域形成自对准金属硅化物的方法。一般最常用的金属硅化物当首推钛硅化物。钛硅化物的形成,一般皆采用两阶段快速加热制程(rapid thermal process;RTP)方式。首先,参照图1所示,提供一硅底材10,在底材10上已经形成金氧半导体晶体管及浅渠沟隔离层30。此金氧半导体晶体管具有源极/汲极12、闸极以及在闸极的侧壁形成间隙壁(spacer)18,且此闸极至少包括闸极氧化物层14与多晶硅...
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