技术编号:6874279
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体上涉及金属氧化物半导体(MOS)晶体管及其相关制造方法。更具体地,本发明涉及一种包括多逸出功金属氮化物栅电极的MOS晶体管、包括其的互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路器件以及相关制造方法。背景技术 现代半导体器件一般包括大量的有源器件,例如MOS晶体管。随着半导体器件集成水平的提高,MOS晶体管的尺寸相应地趋于减小。结果,MOS晶体管的沟道长度区域减小。不幸地是,随着MOS晶体管的沟道长度减小,MOS晶体管变得对短沟道效应越来越敏感,这可能...
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