技术编号:6874508
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及双极晶体管、半导体发光元件和半导体元件。在该GaAs系晶体管中,GaAs系HBT可以用比HEMT少的电源个数进行驱动,因此,适合于装置的小型化。而且,由于GaAs系HBT使用注入集电极的「热电子(Hot-electron)」的冲击传导,因此,高速工作性优越。因此,希望GaAs系HBT作为支持手机等移动通信等的关键器件。在该手机中,一般需要在约4.7V或者约3.5V的低工作电压下得到高电流增益的功率器件。上述GaAs系HBT用比基极层带隙大的材料形...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。