技术编号:6874511
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种高压半导体器件以及制造高压半导体器件的方法。更具体地,本发明涉及一种能够在一个半导体衬底上与互补金属氧化物半导体(CMOS)器件一起形成的高压半导体器件。背景技术 半导体制造技术持续不断的创新正在使半导体器件能够以更高的集成密度被开发。例如,可以在一个半导体衬底上与例如互补金属氧化物半导体(CMOS)器件的逻辑器件一起形成诸如高压半导体器件的有源器件。图1为横截面图,示出了在一个半导体衬底上与常规CMOS器件一起形成的常规高压半导体器件。参考...
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