技术编号:6874514
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明主要涉及半导体制造,更具体地说,涉及浸入式光刻装置和方法以及光刻光学柱结构,用于利用光学系统的至少投射光学部件和在相同压力下的晶片进行浸入式光刻。背景技术 目前,对制造更小的半导体器件的不断追求使半导体制造工业通过浸入式光刻而不是干光刻寻求发展。例如,当前工业中的焦点已经从157纳米(nm)波长干光刻技术转向193nm波长浸入式(湿)光刻技术,并具有获得157nm下的浸入式光刻的目标。浸入式光刻方法包括用具有比常规流体即空气的更高的折射率(n)的流体...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。