技术编号:6874764
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,尤其涉及用SA-STI(自对准浅沟分离)进行元件分离的MONOS(金属一氧化物-氮化物-氧化物-硅)结构的存储单元中适用的。图14示出现有的MONOS结构的存储单元中的栅极周边的纵剖图,图15是沟道区周边的纵剖图。在P型半导体衬底9的表面部分上形成n型阱8,在其上部形成P型阱1,在P型阱1的内部表面上形成漏区(n型杂质区)2、沟道区11、源区(n型杂质区)3。而且,在沟道区11上依次层积下氧化硅膜4、作为电荷蓄积层的SiN膜5、上氧化硅膜6、控...
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