技术编号：6874940
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具有存储单元的，该存储单元是将二进制数据作为铁电层的极化状态来存储的。背景技术 铁电存储器，例如有FeRAM(铁电随机存取存储器)。铁电存储器的一例中，其结构为与元件连接的W(钨)-栓塞(plug)通过局部布线与包含铁电层的电容器的上部电极连接(参考非专利文献1)。还有一种结构为与元件连接的W(钨)-栓塞直接和包含铁电层的电容器的下部电极连接(参考非专利文献2)。FeRAM具有的铁电层，由SBT(SrBi2Ta2O9)这种氧化物材料构成。形成在该...
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