技术编号:6874947
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。,氮化镓单晶基板及其制造方法本申请是中国专利申请(申请日2000年9月26日、申请号00129013.4、题目为,氮化镓单晶基板及其制造方法)的分案申请。本发明是关于由3-5族化合物半导体形成的发光二极管(LED)、激光器(LD)等的发光装置中所用的GaN单晶体基板,及其晶体生长方法和制造方法。使用III-V族氮化物系半导体(GaN、GaInN)的发光器件,如蓝色LED等早已付诸实用。由于不能广泛地得到GaN基板,所以氮化物半导体发光器件,作为基板,只能使...
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