技术编号：6874978
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种毫米波与微波器件，尤其涉及一种半模基片集成波导(HMSIW)环形电桥。背景技术 在现有的毫米波与微波无源器件中，能实现180度相位差输出的电桥结构通常有两种形式E面波导形式和微带线环形电桥形式。前者虽然性能较好，但加工难度大、成本高；后者在高频率条件下，辐射损耗大。借助近年来新出现的基片集成波导(SIW)技术设计的环形电桥虽然减小了辐射损耗，但由于基片集成波导(SIW)本身是一种波导结构，考虑到波导本身的截止特性，其宽度须满足一定的要求，因此...
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