技术编号:6875124
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于制造半导体器件的方法,更具体地,涉及一种用于制造互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的方法。背景技术 作为一种半导体器件的图像传感器将光学图像转换成电信号,其通常可分类为电荷耦合器件(CCD)和CMOS图像传感器。在这些图像传感器中,CMOS图像传感器包括用于检测入射光并将其转换成电信号的光电二极管,以及用于传输电信号并对其进行数据处理的逻辑电路。在制造CMOS图像传感器的过程中,需要提高所谓的填充因子以便改善CMOS图像传感器的光...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。