技术编号：6875132
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于制造半导体器件的方法；并且更具体地，涉及在用于极端紫外(EUV)光的光刻工艺中使用的。背景技术 通常，光刻法利用传输光学，并且更具体地，使用相移掩膜来改善分辨率。相移掩膜以包括相移层的结构形成，所述相移层可使照射到石英基片的特定区域上的光产生180度的相移。当使用以上相移掩膜来执行光刻工艺时，透射通过相移层的光与非透射的光之间产生了相位差。因而，在两光之间发生相消干涉(destructive interference)，由此改善了分辨率。...
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