技术编号:6875218
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种半导体制程,且特别是有关于一种形成接触窗开口的方法。背景技术 图1A至图1C为已知在薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)中形成接触窗开口的流程剖面示意图。请参照图1A,薄膜晶体管100主要是由栅极102、栅绝缘层104、通道层106与源极/漏极108所构成,且源极/漏极上108覆盖有一层保护层110,以避免源极/漏极108在后续制程中受到损害。而且,源极/漏极108是透过保护层110中的接触窗开口(未绘示于图1A...
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