技术编号:6875449
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的示例性实施例关于,例如,处理半导体结构例如圆柱形下电极的方法以及使用其形成半导体器件的电容器的方法。背景技术 现有技术的动态随机存取存储器(DRAM)器件可具有包括存取晶体管和存储电容器的单位单元。半导体器件的增长的集成度需要更小的存储电容器。用于制造半导体器件的进来的方法将电容器形成为具有较大的存储电容和/或减小的尺寸。用下面的等式(1)来表示电容器的电容C。C=ϵ0ϵAd---(1)]]>在上述等式...
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