技术编号：6875697

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本发明是有关于一种半导体组件的制造方法，且特别有关于一种基底/氧化硅/氮化硅/氧化硅/硅(Substrate/Oxide/Nitride/Oxide/Silicon，简称SONOS)组件的制造方法。请参照附图说明图1，在基底100上有一层字线104，而于基底100与字线104之间具有由氧化硅/氮化硅/氧化硅(Oxide/Nitride/Oxide，简称ONO)复合层102所构成作为捕捉层(Trapping Layer)的堆栈式(Stacked)结构，而于O...
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