技术编号:6875758
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及制作半导体存储器件的方法,更具体而言涉及,该方法能够改善钨硅化物(WSix)层和多晶硅层之间的界面特性同时减少钨硅化物层的阻值。背景技术 现有NOR快闪存储器在程序速度方面具有固有限制。为了克服这些限制,已经提出NAND快闪存储器件,该NAND快闪存储器件可通过利用Fowler-Nordheim(FN)隧穿将电子注入浮动栅中从而执行数据程序并且可以提供大容量和高集成度。NAND快闪存储器件包括多个单元块。每一单元块包括多个单元串(strings)...
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