技术编号:6875783
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体组件的制作及其结构,特别涉及一种在半导体基底上形成金属层的制作方法及其结构,其是更可与打线接合、贴带自动接合(TAB)、薄膜复晶接合(COF)或玻璃复晶接合(COG)等制造方法相互匹配。背景技术 在现今的半导体技术中,若欲降低半导体组件的尺寸,势必使得组件中单一集成电路芯片的封装密度呈现戏剧性地提高,然而,当半导体组件的尺寸缩小时,组件封装密度将提高,而集成电路芯片上用以提供电性连接的金属内连接层的层数亦必须增加,以有效地连接基底上相互...
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