技术编号:6876020
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及DRAM堆叠电容器及其制造方法。背景技术 半导体存储器器件如DRAM(动态随机存取存储器)由每个都包括传输器件和存储电容器的多个存储单元形成。在任意存储单元中的数字状态,例如“1”或“0”状态,与存储电容器上的电荷量有关。传输器件连接在存储电容器和能够访问存储电容器的DRAM的支撑区域之间,以使存储电容器充电和放电,即写入和读出逻辑状态。传输器件一般构成n沟道MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),具有连接至存储电容器的其源区,以及...
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