技术编号:6876502
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种存储器件。更具体地,本发明涉及一种半导体器件及其制造方法,所述半导体器件具有包含垂直绝缘体上硅(SOI)沟道结构的阶梯状凹形沟道区域。背景技术 当单元晶体管的沟道长度减小时,通常提高单元沟道区域的离子浓度以保持单元晶体管阈值电压。单元晶体管的源/漏区域中的电场被加强使得漏电流增大。这使得DRAM结构的刷新特性退化。因此,需要其中刷新特性得到改善的半导体器件。图1是一个半导体器件的简化版图,其中标号1和3分别表示由器件隔离结构30确定的有源区和...
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