技术编号：6876523
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的总体构思涉及一种处理基底的设备，更具体地讲，涉及一种利用铁氧体磁芯处理基底以提高等离子体产生效率的设备。背景技术 通过执行薄膜的反复沉积和蚀刻工艺来制造用于半导体晶圆或显示设备的基底(以下，称作基底)。图1是示出利用铁氧体磁芯处理基底的设备的剖视图，图2是示出图1的设备的平面图。参照图1和图2，处理基底的传统设备包括彼此结合的上容器111和下容器112。由两个容器111和112形成的空间被分隔件121和122划分成上反应空间113和下反应空间114...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。