技术编号：6876598
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及制膜方法、图案形成方法和采用这些的电子装置的制造方法。背景技术 历来，在电子元件的制造中，使用了有爆炸等的危险的短链长的硅烷。为此，需要实现在成本和安全方面的改良。另外，在WO2003/026359号公报中，以提高材料的选择自由度的新的图案形成为目的，提出有一种膜形成装置，并公开了利用这种装置的自由射流(free jet)图案形成方法，该装置具有可调整为规定的真空度的真空室；连接于材料供给源且安装于所述真空室，将来自所述材料供给源的材料供给到该真...
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