技术编号：6876652
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及存储器件及其制造方法，更特别地，涉及在存储器件中形成单元和外围区域之间的边界区域。背景技术 在存储器件例如NAND闪存(flash)中，隔离槽(isolation trench)的节距(pitch)随着技术进步而变得越来越小。隔离槽是填充以氧化物膜的槽从而形成场氧化物结构(FOX)或隔离结构。这样的氧化物膜通常利用高密度等离子体(HDP)方法形成。随着隔离槽以更小节距设置，隔离结构的台阶覆盖失效(step-coverage failure)更可能...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。