技术编号:6876738
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及高输出隧道磁阻元件以及配备了该元件的低耗电不挥发性磁存储器。背景技术 以往的隧道磁阻效应元件使用的是将Al的氧化物用于绝缘膜的隧道层叠膜(T.Miyazaki and N.Tezuka,J.Magn.Magn.Mater.139,L231(1995)),但是由于Al氧化物为非晶态,无法得到能够应用于工业的充分的电输出信号。最近,有报告(S.Yuasa.et al.,Nature Material 3,(868(2004))指出,在绝缘膜使用氧化镁...
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