技术编号:6876994
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种高压半导体组件,且特别是有关于一种具有一个邻近闸电极的外加区域的高压半导体组件。此外加区域可以是高介电常数的介电材料,其例如是氮化物或是导体。导体例如是多晶硅。本发明也有关于制造上述的高压半导体组件的方法。背景技术 在相关的中,金氧半(metal oxide semiconductor,MOS)晶体管组件已为众人所知。金氧半场效晶体管(metal oxide semiconductorfield effect transistor,MOS...
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