技术编号:6877026
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于EUV微型光刻和精密部件的基片、涉及用于EUV微型光刻的构件如镜面和/或掩膜或掩模坯件以及涉及这类基片或构件的制备。 背景技术 在集成电路的生产中,芯片的结构总是趋向于越来越小。因此为了生产这样的芯片,就需要可以以越来越小的照射光波长工作的光刻系统。现在使用和研究的波长是248、193或157nm。而未来则会在这样的光刻系统中建议使用在所谓远紫外区域的电磁射线,特别是在11到14nm区域内的。在该区域内,需从至今通常的透射系统过渡到具有反射光...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。