技术编号:6878549
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种恒流源器件。背景技术"MOSFET"是英文"metal-oxide-semiconductor field effecttransistor"的縮写,意即"金属氧化物半导体场效应晶体管",其原理是所有现代集成电 路芯片的基础。 一个耗尽型MOSFET器件由三个基本部分构成源极(S)、 栅极(G)和漏极(D)。 一个N-通道耗尽型MOS场效应管在源极及漏极之 间接近栅极表面,有一个与源漏同极性的浅层掺杂层将源极与漏极相连接。 当栅极与源极电...
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