技术编号：6878818
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及微电子中的半导体器件，特别是一种复合 栅、栅源自隔离VDMOS、 IGBT功率器件。背景技术现有的VDM0S、 IGBT功率器件主要由金属底层、N+衬底、硅N-外延 层、P-区、P+区、N+区、热氧化Si02栅氧层、多晶硅层、Si(h淀积层、 磷硅玻璃PSG淀积层和金属表层组成。由金属表层充任源极、金属底层充任漏极、多晶硅层充任栅极、磷硅玻璃PSG层和LPCVD Si02层充任隔离 层，源区由位于深层的P-区、位于中间的P+区和位于P+区外围...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。