技术编号:6879683
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于集成电路(IC)和微机电系统(MEMS)器件测量技 术,具体涉及一种微纳深沟槽(深宽比达501以上)结构测量方法及装置, 该方法尤其适用于动态随机存储(DRAM)的深沟槽电容器结构深度及宽背景技术在微电子和微机电系统(MEMS)设计与制造工艺过程中,目前广泛采用 了高深宽比的深沟槽结构,如最新的动态随机存储(DRAM)开始采用复杂的 瓶状深沟槽电容器结构,深度反应离子刻蚀(DRIE)工艺可以很容易制作深 宽比达501以上的集成电路和MEMS结...
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