技术编号：6885819
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。用于气体分配系统的包括具有不同流量系数的阀门的气体切换部分背景技术半导体结构在等离子处理设备中处理，等离子处理设备包括等 离子处理室、将处理气体冲是供入该室的气体源和由该处理气体产生 等离子的能量源。在这样的设备中，通过包括干蚀刻工艺、沉积工艺(如金属、电介质和半导体的化学气相沉积(CVD)、物理气相 沉积或者等离子增强化学气相沉积(PECVD)和抗蚀剂剥离工艺) 的技术处理半导体结构。不同的处理气体用于这些处理技术，以及 处理不同材神牛的半导体结构。发明...
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