技术编号:6885942
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制造具有栅绝缘膜或者包含氮化膜的介电膜的半导体器件的方法,以及能够通过在氮化膜中存储电荷而保持信息的半导体存储器件。背景技术 近来,将由二氧化硅膜上形成的氮化硅膜构成的ON膜,以及由二氧化硅膜、氮化硅膜和二氧化硅膜按顺序构成的ONO膜用作半导体存储器件的存储单元。在对于各个存储单元具有作为电荷存储部分的岛形浮栅的浮栅型非易失性半导体存储器(下文中简称为浮栅型存储器)中,将诸如ON膜、ONO膜等等的多层绝缘膜(下文中简称为多层绝缘膜)用作具有高...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。