技术编号:6885944
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件及制造该半导体器件的方法,该半导体器件中,元件区域被在半导体衬底中形成的沟槽隔开。更具体地说,本发明涉及一种半导体器件及制造该半导体器件的方法,该半导体器件中,高电压下运行的晶体管和低电压下运行的晶体管形成在同一个衬底上。背景技术 近年来,集中擦除型闪存,例如EEPROM(电可擦除可编程只读存储器),已经开始在IC卡等当中使用。EEPROM的存储单元有浮动栅和控制栅两个栅极,通过控制向浮动栅提供电荷和从浮动栅接收电荷执行数据的写/擦...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。