技术编号：6886162
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及半导体功率器件。特别地，本发明涉及一种改 进的并且新颖的制造工艺和器件配置，用于为MOSFET器件提供具 有较高击穿电压的肖特基源极接触，以改善高频率功率开关、H型 电桥以及同步整流应用的性能而不影响集成的MOSFET-肖特基器件 的布局。背景技术为了减少功率消耗且增加半导体功率器件的开关切换速度，需要 进一 步减少导通电阻和栅极电容。已经实施了将肖特基二极管集成 在诸如金属氧化硅半导体场效应晶体管(MOSFET)的半导体功率 器件中。图1A...
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