技术编号:6886321
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明主要涉及在电介质材料中由导电材料形成互连的领域,更具体而非详尽地涉及相对低介电常数的电介质材料,即低k或超低k (ULK)材料中的金属互连。背景技术这些互连可以用于半导体装置,例如集成电路(IC)。在传统的集成电路中,需要在形成于不同金属化层次上并由电介 质层隔离开的导电层之间建立电接触。因而集成电路互连可以包括通孔和线路,其用于互连底层半导体 ^J"底(underlying semiconductor substrate)的不同部分,在该坤十底上 ...
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