技术编号：6886705
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及一种半导体晶片及其制造方法。更具体地，本发明涉 及一种半导体晶片，其具有改善的热导率特性，当用作高速处理器器件的 衬底时提供优势。背景技术在半导体产业内，总的按比例缩放趋势已经通过增加晶体管密度和处 理器器件上的操作频率而增加硅功率密度。然而，从设计和工艺改进获得 的功率减小不足以补偿伴随增加的功率密度的较高操作温度。而且，在较 高操作温度下，半导体的电性能和可靠性明显地退化，降低了半导体处理 器的速度和寿命。同样地，降低跨过该结构的半导体结...
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