技术编号:6886730
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般地涉及铜互连布线层表面上的盖层以及通过利用气体团簇离子束(GCIB)处理形成用于半导体集成电路的互连结构的改进方法和装置。背景技术"摩尔定律"使半导体持续的按比例缩放而具有更高的密度和更好的性 能,这为工业以及我们社会的生产力提供了极大的增长。然而,这种按比 例縮放产生的问题是需要在越来越小的互连线上传送越来越高的电流。当 如此小的导线中的电流密度和温度变得过高时,互连线会由于被称为电迁 移的现象而失效。这种发生于高电流密度的互连线中的所谓"电子...
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