技术编号:6886886
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及三族(中国使用的周期表中的niA族)氮化物半导体发光元件及其制造方法。具体来说,本发明涉及由式InxGayAlzN (其中, x+y+z=l, 0《x《l, 0《y《l, 0《z《l)表示的氮化物化合物半导体发光 元件及其制造方法。背景技术三 五族氮化物系半导体发光元件用作各种显示装置用、照明装置用 光源。另外,作为室内光通信用光源也进行过研究。在将三 五族氮化物 系半导体发光元件适用于这些用途时,提高发光效率成为问题。为了提高发光元件的发光效率...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。