技术编号:6886917
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。对用作存储器或现场可编程逻辑阵列的 普通单相硫属材料的编程背景技术本发明总的涉及采用硫属材料的存储器。硫属材料被用作半导体存储器已经多年。这些存储器传统上被称为相 变存储器。它们通常涉及从非晶相到晶相的转变。至今硫属材料仍采用双稳态的材料,因为当在20(TC暴露30分钟或者更短时间时,该材料将由基 本的非晶相转变为基本的结晶相,且施用65(TC的短时间快速淬火后变回 非晶相状态。硫属材料在半导体存储器中应用的 一个优点是相对适度的热量可以 使装置在不同的可...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。