技术编号:6886920
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明大体上系关于用于制造半导体组件之方法,且更详言之, 系关于用于制造具有高介电常数电介质之电容器之半导体组件。背景技术大多数目前的集成电路(IC)系利用复数个互连(interconnected)场效 晶体管(FET)来实作,该等场效晶体管亦称为金属氧化物半导体场效晶 体管(MOSFET或MOS晶体管)。IC通常利用P-信道及N-信道FET两 者而形成,于是将该IC称为互补MOS或CMOS电路。FET IC之效能 的某些改善可通过于半导体材料薄层中形成F...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。