技术编号:6887182
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。0001本发明一般涉及半导体器件,且更具体地涉及为各种沟道长度 的漏极扩展MOS晶体管统一阈值电压以及它们的制造方法。背景技术0002许多集成电路器件包括由金属氧化物半导体(MOS)晶体管器件构成的数字电路,这些集成电路器件利用优化的互补金属氧化物半导体 (CMOS)制造工艺构造,以形成高密度、高速N-沟道和P-沟道MOS晶体 管。这种高密度电路普遍用于诸如无线通信设备、便携式计算机等现代 消费类电子产品中,其中数字电路由电池供电。0003许多器件要求MO...
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