技术编号:6887210
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及宽带隙半导体材料的半导体器件,具体地,涉及 在碳化硅(SiC)中制备的二极管(包括肖特基势垒二极管和双极结型 二极管),并涉及单片集成了这些二极管的结构,包括具有台面边缘终 止的结构。背景技术包括肖特基和PiN二极管的单片器件已公知(例如,参见美国专 利No. 6,861,723和文献1 )。美国专利No. 6,573,128公开了 一种SiC 结势垒肖特基(JBS) /合并的P-I-N肖特基(MPS)栅,其由在穿过 外延生长层的等离子体蚀刻...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。