技术编号:6887304
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种SOI晶片的评价方法,特别是涉及一种SOI晶片的评价 方法,其是针对具有埋入扩散层的SOI晶片,用以评价埋入扩散层的特性。背景技术作为半导体基板,有硅基板,其被广泛地使用于例如集成电路的制造中, 近年来,随着系统的高速化、高集成化或可携带式端末设备的发展,半导体 元件被要求更高速且低耗电力。基于此种背景,在绝缘层上形成有硅有源层(SOI层)的SOI(绝缘层上覆 硅;Silicon On Insulator)结构的SOI晶片,是顺应元件的高速化...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。