技术编号:6887355
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明总地涉及半导体制造,具体涉及制造包含例如用于磁性隧道结器 件(magnetic tunnel junction device)和存储器器件的金属-绝缘体-金属分层薄膜堆叠的器件结构。背景技术金属-绝缘体-金属的层叠膜用作例如磁性随机存取存储器(MRAM, magnetic random access memory )等的存储器器件中的存储元件。用于MRAM 技术的存储器元件是多层材料的图案化结构并且通常由例如NiFe、 CoFe、 PtMn、 Ru等...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。